開(kāi)關(guān)電源就是采用半導體器件去作為開(kāi)關(guān)元件，通過(guò)周期性的開(kāi)關(guān)，控制開(kāi)元件來(lái)調整輸出電壓。開(kāi)關(guān)電源的構成框圖如圖1所示，它由輸入電路、變換電路、輸出電路和控制電路等組成。功率變換是其核心部分，主要由開(kāi)關(guān)電路和變壓器組成。為了滿(mǎn)足高功率密度的要求，變換器需要工作在高頻狀態(tài)，開(kāi)關(guān)晶體管要采用開(kāi)關(guān)速度高、導通和關(guān)斷時(shí)間短的晶體臂，最典型的功率開(kāi)關(guān)晶體管有功率晶體管（CTR）、功率場(chǎng)效應管（(MOSFET）和絕緣型雙極型晶體管（IGBT）等3種?？刂品绞椒譃槊}寬調制、脈頻調制、脈寬和頻率混合調制等3種，其中最常用的是脈寬調制（PWM）方式。
從60年代開(kāi)始得到發(fā)展和應用的 DC一DC PWM 功率變換技術(shù)是一種硬開(kāi)關(guān)技術(shù)。為了使開(kāi)關(guān)電源在高頻狀態(tài)下也能高效率地運行，國內外電力電子界和電源技術(shù)界自70年代以來(lái)，不斷研究開(kāi)發(fā)高頻軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)波形比較如圖2所示。
從圖可以看出，軟開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)是功率器件在零電壓條件下導通（或關(guān)斷)，在零電流條件下關(guān)斷（或導通）。與硬開(kāi)關(guān)相比，軟開(kāi)關(guān)的功率器件在零電壓、零電流條件下工作，功率器件開(kāi)關(guān)損耗小。與此同時(shí)，du/dt和di/dt大為下降，所以它能消除相應的電磁干擾（EMI）和射頻干擾（RFI) ,提高了變換器的可靠性。同時(shí)，為了減小變換器的體積和重量，必須實(shí)現高頻化。要提高開(kāi)關(guān)頻率，同時(shí)提高變換器的變換效率，就必須減小開(kāi)關(guān)損耗。減小開(kāi)關(guān)損耗的途徑就是實(shí)現開(kāi)關(guān)管的軟開(kāi)關(guān)，因此軟開(kāi)關(guān)技術(shù)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)已經(jīng)成為是開(kāi)關(guān)變換技術(shù)的一個(gè)重要的研究方向。本文對軟開(kāi)關(guān)和硬開(kāi)關(guān)的工作特性進(jìn)行比較，并對軟開(kāi)關(guān)技術(shù)進(jìn)行了詳細闡述。
