開(kāi)關(guān)電源調試時(shí)最常見(jiàn)的10大問(wèn)題
一、變壓器飽滿(mǎn)
變壓器飽滿(mǎn)現象：在高壓或低壓輸入下開(kāi)機(包含輕載，重載，容性負載)，輸出短路，動(dòng)態(tài)負載，高溫等情況下，經(jīng)過(guò)變壓器(和開(kāi)關(guān)管)的電流呈非線(xiàn)性增長(cháng)，當呈現此現象時(shí)，電流的峰值無(wú)法預知及操控，或許導致電流過(guò)應力和因此而產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)管過(guò)壓而損壞。
1、簡(jiǎn)略產(chǎn)生飽滿(mǎn)的情況：
（1）變壓器感量太大；
（2）圈數太少；
（3）變壓器的飽滿(mǎn)電流點(diǎn)比IC的最大限流點(diǎn)??；
（4）沒(méi)有軟發(fā)動(dòng)。
2、處理辦法：
（1）下降IC的限流點(diǎn)；
（2）加強軟發(fā)動(dòng)，使經(jīng)過(guò)變壓器的電流包絡(luò )更緩慢上升。
二、Vds過(guò)高
1、Vds的應力要求：
最?lèi)毫訔l件(最高輸入電壓，負載最大，環(huán)境溫度最高，電源發(fā)動(dòng)或短路測試)下，Vds的最大值不應超越額定規格的90%
2、Vds下降的辦法：
（1）減小渠道電壓：減小變壓器原副邊圈數比；
（2）減小尖峰電壓：
a、減小漏感：
變壓器漏感在開(kāi)關(guān)管開(kāi)通是存儲能量是產(chǎn)生這個(gè)尖峰電壓的首要原因，減小漏感可以減小尖峰電壓。
b、調整吸收電路：
①運用TVS管；
②運用較慢速的二極管，其本身可以吸收必定的能量(尖峰)；
③刺進(jìn)阻尼電阻可以使得波形愈加平滑，利于減小EMI。
三、IC溫度過(guò)高
原因及處理辦法：
1、內部的MOSFET損耗太大：
開(kāi)關(guān)損耗太大，變壓器的寄生電容太大，形成MOSFET的開(kāi)通、關(guān)斷電流與Vds的穿插面積大。處理辦法：添加變壓器繞組的距離，以減小層間電容，好像繞組分多層繞制時(shí)，層間加入一層絕緣膠帶(層間絕緣)。
2、散熱不良：
IC的很大一部分熱量依靠引腳導到PCB及其上的銅箔，應盡量添加銅箔的面積并上更多的焊錫
3、IC周?chē)諝鉁囟忍撸?/span>
IC應處于空氣流動(dòng)暢順的當地，應遠離零件溫度太高的零件。
四、空載、輕載不能發(fā)動(dòng)
1、現象：
空載、輕載不能發(fā)動(dòng)，Vcc重復從發(fā)動(dòng)電壓和關(guān)斷電壓來(lái)回跳動(dòng)。
2、原因：
空載、輕載時(shí)，Vcc繞組的感應電壓太低，而進(jìn)入重復重發(fā)動(dòng)狀況。
3、處理辦法：
添加Vcc繞組圈數，減小Vcc限流電阻，恰當加上假負載。假如添加Vcc繞組圈數，減小Vcc限流電阻后，重載時(shí)Vcc變得太高，請參照安穩Vcc的辦法。
五、發(fā)動(dòng)后不能加重載
原因及處理辦法：
1、Vcc在重載時(shí)過(guò)高
重載時(shí)，Vcc繞組感應電壓較高，使Vcc過(guò)高并到達IC的OVP點(diǎn)時(shí)，將觸發(fā)IC的過(guò)壓維護，引起無(wú)輸出。假如電壓進(jìn)一步升高，超越IC的承受能力，IC將會(huì )損壞。
2、內部限流被觸發(fā)
a、限流點(diǎn)太低
重載、容性負載時(shí)，假如限流點(diǎn)太低，流過(guò)MOSFET的電流被約束而缺乏，使得輸出缺乏。處理辦法是增大限流腳電阻，進(jìn)步限流點(diǎn)。
b、電流上升斜率太大
上升斜率太大，電流的峰值會(huì )更大，簡(jiǎn)略觸發(fā)內部限流維護。處理辦法是在不使變壓器飽滿(mǎn)的前提下進(jìn)步感量。
六、待機輸入功率大
1、現象：
Vcc在空載、輕載時(shí)缺乏。這種情況會(huì )形成空載、輕載時(shí)輸入功率過(guò)高，輸出紋波過(guò)大。
2、原因：
輸入功率過(guò)高的原因是，Vcc缺乏時(shí)，IC進(jìn)入重復發(fā)動(dòng)狀況，頻繁的需求高壓給Vcc電容充電，形成起動(dòng)電路損耗。假如發(fā)動(dòng)腳與高壓間串有電阻，此刻電阻上功耗將較大，所以發(fā)動(dòng)電阻的功率等級要足夠。電源IC未進(jìn)入BurstMode或現已進(jìn)入BurstMode，但Burst頻率太高，開(kāi)關(guān)次數太多，開(kāi)關(guān)損耗過(guò)大。
3、處理辦法：
調理反應參數，使得反應速度下降。
七、短路功率過(guò)大
1、現象：
輸出短路時(shí)，輸入功率太大，Vds過(guò)高。
2、原因：
輸出短路時(shí)，重復脈沖多，一起開(kāi)關(guān)管電流峰值很大，形成輸入功率太大過(guò)大的開(kāi)關(guān)管電流在漏感上存儲過(guò)大的能量，開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)引起Vds高。輸出短路時(shí)有兩種或許引起開(kāi)關(guān)管中止作業(yè)：
（1）觸發(fā)OCP這種辦法可以使開(kāi)關(guān)動(dòng)作當即中止
a、觸發(fā)反應腳的OCP；
b、開(kāi)關(guān)動(dòng)作中止；
c、Vcc下降到IC封閉電壓；
d、Vcc從頭上升到IC發(fā)動(dòng)電壓，而從頭發(fā)動(dòng)。
（2）觸發(fā)內部限流
這種辦法產(chǎn)生時(shí)，約束可占空比，依靠Vcc下降到UVLO下限而中止開(kāi)關(guān)動(dòng)作，而Vcc下降的時(shí)刻較長(cháng)，即開(kāi)關(guān)動(dòng)作堅持較長(cháng)時(shí)刻，輸入功率將較大。
a、觸發(fā)內部限流，占空比受限；
b、Vcc下降到IC封閉電壓；
c、開(kāi)關(guān)動(dòng)作中止；
d、Vcc從頭上升到IC發(fā)動(dòng)電壓，而從頭發(fā)動(dòng)。
3、處理辦法：
（1）削減電流脈沖數，使輸出短路時(shí)觸發(fā)反應腳的OCP，可以使開(kāi)關(guān)動(dòng)作敏捷中止作業(yè)，電流脈沖數將變少。這意味著(zhù)短路產(chǎn)生時(shí)，反應腳的電壓應該更快的上升。所以反應腳的電容不行太大；
（2）減小峰值電流。
八、空載，輕載輸出紋波過(guò)大
1、現象：
Vcc在空載或輕載時(shí)缺乏。
（1）原因：
Vcc缺乏時(shí)，在發(fā)動(dòng)電壓(如12V)和關(guān)斷電壓(如8V)之間振動(dòng)IC在周期較長(cháng)的間歇作業(yè)，短時(shí)刻供給能量到輸出，接著(zhù)中止作業(yè)較長(cháng)的時(shí)刻，使得電容存儲的能量缺乏以堅持輸出安穩，輸出電壓將會(huì )下降。
（2）處理辦法：
確保任何負載條件下，Vcc可以安穩供應。
2、現象：
BurstMode時(shí)，間歇作業(yè)的頻率太低，此頻率太低，輸出電容的能量不能堅持安穩。
處理辦法：
在滿(mǎn)足待機功耗要求的條件下稍微進(jìn)步間歇作業(yè)的頻率，增大輸出電容。
九、重載、容性負載不能發(fā)動(dòng)
1、現象：
輕載可以發(fā)動(dòng)，發(fā)動(dòng)后也可以加重載，可是重載或大容性負載情況下不能發(fā)動(dòng)。
2、一般規劃要求：
無(wú)論重載還是容性負載(如10000uF)，輸入電壓最低還是最低，20mS內，輸出電壓必須上升到安穩值。
3、原因及處理辦法(確保Vcc在正常作業(yè)規模內的前提下)：
下面以容性負載C=10000uF為例進(jìn)行剖析，按規格要求，必須有足夠的能量使輸出在20mS內上升到安穩的輸出電壓(如5V)。
E=0.5*C*V^2
電容C越大，需求在20mS內從輸入傳輸到輸出的能量更大。
以芯片FSQ0170RNA為例陰影部分總面積S便是所需的能量。要添加面積S，辦法是：
（1）增大峰值電流限流點(diǎn)I_limit，可答應流過(guò)更大電感電流Id：將與Pin4相接的電阻增大，從內部電流源Ifb分流更小，使作為電流約束參考電壓的PWM比較器正輸入端的電壓將上升，即答應更大的電流轉過(guò)MOSFET/變壓器，可以供給更大的能量。
（2）發(fā)動(dòng)時(shí)，添加傳遞能量的時(shí)刻，即延伸Vfb的上升時(shí)刻(抵達OCP維護點(diǎn)前)。
對這款FSQ0170RNA芯片，電感電流操控是以Vfb為參考電壓的，Vfb電壓的波形與電感電流的包絡(luò )成正比。操控Vfb的上升時(shí)刻即可操控電感包絡(luò )的上升時(shí)刻，即添加傳遞能量的時(shí)刻。IC的OCP功能是檢測Vfb到達Vsd(如6V)完成的。所以要下降Vfb斜率，就可以延伸Vfb的上升時(shí)刻。輸出電壓未到達正常值時(shí)，假如反應腳電壓Vfb現已上升到維護點(diǎn)，傳遞能量時(shí)刻不夠。重載、容性負載發(fā)動(dòng)時(shí)，輸出電壓樹(shù)立較慢，加到光耦電壓較低，經(jīng)過(guò)光耦二極管的電流小，光耦光敏管高阻態(tài)(趨向關(guān)斷)的時(shí)刻較長(cháng)。IC內部電流源給與反應腳相接的電容充電較快，假如Vfb在這段時(shí)刻內上升到維護點(diǎn)(如6V)，MOSFET將關(guān)斷。輸出不能到達正常值，發(fā)動(dòng)失利。
處理辦法：
使輸出電壓到達正常值時(shí)，反應腳電壓Vfb依然小于維護點(diǎn)。使Vfb遠離維護點(diǎn)而緩慢上升，或延伸反應腳Vfb上升到維護點(diǎn)的時(shí)刻，即下降Vfb的上升斜率，使輸出有足夠的時(shí)刻上升到正常值。
A、增大反應電容(C9)，可以將Vfb的上升斜率下降，如圖所示，由D線(xiàn)變成A線(xiàn)?？墒欠磻娙萏髸?huì )影響正常作業(yè)狀況，下降反應速度，使輸出紋波變大。所以此電容不能變化太大。
B、因為A辦法有缺乏，將一個(gè)電容(C7)串連穩壓管(D6，3.3V)并聯(lián)到反應腳。此法不會(huì )影響正常作業(yè)，如B線(xiàn)所示，當Vfb<3.3V時(shí)，穩壓管不會(huì )導通，分流。上升3.3V時(shí)，穩壓管進(jìn)入穩壓狀況，電容C7開(kāi)端充電分流，減小后續Vfb的上升斜率。C。在431的K-A端并聯(lián)一個(gè)電容(C11)，電源發(fā)動(dòng)時(shí)，C11電壓較低，并由光耦二極管和431的偏置電阻R10進(jìn)行充電。這樣光耦就有較大電流轉過(guò)，使光耦光敏管阻抗較低而分流，Vfb將緩慢上升，如C線(xiàn)所示。R10×C11影響充電時(shí)刻，也就影響輸出的上升時(shí)刻。
注意點(diǎn)：
①添加反應腳電容(包含穩壓管串電容)，對處理超大容性負載問(wèn)題效果較??；
②增大峰值電流限流點(diǎn)I_limit，一起也添加了穩態(tài)下的OCP點(diǎn)。需求在容性負載，輸入最低情況下查看變壓器是否會(huì )飽滿(mǎn)；
③假如要堅持限流點(diǎn)，須使R10×C11更大，但在超大容性負載(10000uF)情況下，或許會(huì )添加5Vsb的上升時(shí)刻超越20mS，此法需求查看動(dòng)態(tài)呼應是否受太大影響；
④431的偏置電阻R10太小，431并聯(lián)的C11要更大；
⑤為了確保上升時(shí)刻，增大OCP點(diǎn)和增大R10×C11辦法或許要一起運用。
十、空載、輕載輸出反跳
1、現象：
在輸出空載或輕載時(shí)，封閉輸入電壓，輸出(如5V)或許會(huì )呈現如下圖所示的電壓反跳的波形。
2、原因：
輸入關(guān)掉時(shí)，5V輸出將會(huì )下降，Vcc也跟著(zhù)下降，IC中止作業(yè)，可是空載或輕載時(shí)，巨大的PC電源大電容電壓并不能快速下降，依然可以給高壓發(fā)動(dòng)腳供給較大的電流使得IC從頭發(fā)動(dòng)，5V又從頭輸出，反跳。
3、處理辦法：
在發(fā)動(dòng)腳串入較大的限流電阻，使得大電容電壓下降到依然比較高的時(shí)候也缺乏以供給足夠的發(fā)動(dòng)電流給IC。將發(fā)動(dòng)接到整流橋前，發(fā)動(dòng)不受大電容電壓影響。輸入電壓關(guān)斷時(shí)，發(fā)動(dòng)腳電壓可以敏捷下降。
